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半导体材料新闻每周精选

时间:2021-08-09 09:31:00浏览次数:1481

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奕斯伟材料完成超30亿元人民币B轮融资


近日,西安奕斯伟材料科技有限公司(以下称“奕斯伟材料”)完成B轮融资,融资金额超30亿人民币,中信证券投资、金石投资联合领投,中网投、陕西民营基金、毅达资本、众为资本、国寿股权等机构跟投,老股东芯动能、三行资本追加投资,光源资本担任独家财务顾问。奕斯伟材料此次融资将用于扩大产能。


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晶盛机电与应用材料成立合资公司


7月30日消息,晶盛机电发布公告称,拟与全球半导体设备龙头大厂Applied Materials,Inc.(以下称“应用材料公司”)成立合资公司,注册资本1.5亿元,晶盛机电持股65%,应用材料持股35%。与此同时,合资公司科盛装备拟合计出资1.2美元收购应用材料公司旗下位于意大利的丝网印刷设备业务、位于新加坡的晶片检测设备业务以及上述业务在中国的资产(以下简称“标的业务”)。


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华微电子:积极布局,重点推进第三代半导体



8月5日,华微电子表示公司正积极布局以SiC和GaN为代表的第三代半导体器件技术,重点推进SiC SBD 产品和 650V GaN 器件的开发。

华微电子作为功率半导体龙头,近年来也把目光转向了第三代半导体领域。华微电子表示,下一步,将进一步发挥公司的IDM模式的优势,集中精力研究三代半导体的关键产品技术和应用技术,完善相关生产线开发和制造能力,为消费类、工业和汽车电子领域提供优异的三代半导体电力电子器件。


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微波等离子 CVD 可以生产出高质量的 AlN

北京工业大学和苏州纳米技术与纳米仿生研究所的工程师声称在采用新型沉积技术生长氮化铝外延层方面取得了实质性进展。为了生长 AlN 外延层,该团队首先将 6H-SiC 衬底加载到他们自制的微波等离子体 CVD 系统中。发射频率为 2.45 GHz 的 5.6 kW 源产生的微波穿过波导,进入反应室并集中在钼托盘的上部区域,最终形成了高质量的AlN材料。


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来源:半导体材料行业分会


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